2023年集成电路专题讲座--2023年度南京继续教育知识更新工程专题(高级研修班)

点击数:33862023-10-30 12:39:14 来源: 南京职称评定|江苏省安全生产许可证办理|建筑企业资质办理-南京匠拓教育科技有限公司

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单选题

1、按()来分,集成电路分为半导体集成电路和膜集成电路。

A、功能结构

B、制作工艺

C、集成度高低

D、导电类型

2、善意使用是规定在《条例》的()。

A、第24条

B、第33条

C、第34条

D、第54条

3、EMIB理念跟基于硅中介层的2.5D封装类似,是通过()进行局部高密度互连。

A、中介层

B、基板

C、硅片

D、晶圆

4、在硅晶片的国产化情况中,硅晶片以()以下为主。

A、14寸

B、12寸

C、8寸

D、6寸

5、自2017年开始,集成电路布图设计的登记申请量和授权发证量均呈现()的趋势。

A、趋于平稳

B、慢速增长

C、快速下降

D、快速增长

6、EMIB尽管在()年就被提出,但具体的结构、工艺、样品性能等,是在2016年ECTC发表的论文中首次详细出现。

A、2011

B、2012

C、2013

D、2014

7、布图设计权利人享有()。

A、分配权

B、租赁权

C、专有权

D、分享权

8、20世纪70年代以前(通孔插装时代),封装技术是以()为代表的针脚插装,特点是插孔安装到PCB板上。

A、SoC

B、DIP

C、SIP

D、WLP

9、随着大规模集成电路的发展,器件做得越来越(),集成度越来越(),人们对材料的要求也越来越()。

A、大、高、突出

B、小、高、突出

C、小、低、突出

D、大、低、突出

10、在封装专利中,聚焦于倒装型、扇出型、晶圆片上的芯片、嵌入式IC等关键技术方向的先进封装占据了申请总量的(),而传统封装仅占据了申请总量的32%。

A、88%

B、78%

C、68%

D、58%

11、单晶炉是一种在()气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

A、高温

B、惰性

C、压缩

D、液化

12、功率半导体受益于我国下游的一些新兴领域的快速发展,未来其增量空间()。

A、较大

B、较小

C、不明确

D、难以预测

13、在传统的OS+CPU体系中,()主要用于服务器等高端产品。

A、RISC

B、ARM+Android

C、CISC

D、微架构

14、()是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量。

A、芯片面积

B、特征尺寸

C、集成度

D、晶片直径

15、从区域分布情况来看,我国集成电路企业()密度最高。

A、粤港澳

B、淮海经济带

C、长三角

D、京津冀

16、()年,第一个电子管诞生。

A、1906

B、2006

C、1927

D、2007

17、集成电路的开发、制造基本工艺有()个。

A、5

B、6

C、7

D、8

18、在全球芯片产业链上,我国处在()。

A、上游

B、中上游

C、中下游

D、下游

19、第一代半导体材料主要为()、锗等元素材料。

A、硅

B、砷化镓

C、磷化铟

D、碳化硅

20、从细分产业上看,国内()是集成电路行业中最具发展活力的领域。

A、集成电路制造业

B、封装业

C、集成电路设计业

D、芯片制造业

21、目前,中国半导体设备国产化低于(),国内市场被国外巨头垄断。

A、20%

B、30%

C、40%

D、50%

22、()年,我国研制出第一台光刻机——65型接触式光刻机,其技术仅次于美国、日本。

A、1980

B、1955

C、2000

D、1965

23、要提取高纯度的硅材料需要用到硅砂,它是一种二氧化硅含量高达()%的特殊材料。

A、50

B、60

C、80

D、95

24、商业秘密保护与布图设计保护的关系是()。

A、相互独立

B、后者能覆盖前者

C、前者可以覆盖后者

D、前者不能覆盖后者

25、光生伏特效应是由()发现的。

A、法国科学家牛顿

B、英国科学家牛顿

C、英国科学家贝克雷尔

D、法国科学家贝克雷尔

26、()是光刻工艺最重要的耗材,是一种通过特定光源照射下发生局部溶解度变化的光敏材料。

A、光刻胶

B、抛光液

C、芯片

D、晶片

27、实现社会信息化的网络及其关键部件,不管是各种计算机还是通讯设备,它们的基础都是()。

A、光电子器件

B、集成电路

C、传感器

D、存储器

28、在生活中,所有物体根据其导电性可以分为()类。

A、一

B、二

C、三

D、四

29、现阶段我国急需做的是()寸的硅晶圆。

A、6

B、8

C、10

D、12

30、电子材料主要应用在()和()中,是以()为主要目的的学科和技术。

A、电子学、材料学、应用

B、电子学、先进电子学、理论学习

C、_电子学、微电子学、理论学习

D、电子学、微电子学、应用

31、从制造成本上来看,第()代半导体材料制造成本最低。

A、一

B、二

C、三

D、四

32、()通常以掩模版图和全套工艺文件的形式提供给用户(芯片生产厂家)。

A、固核

B、结构核

C、硬核

D、软核

33、摩尔定律是1965年由戈登·摩尔(GordonMoore)提出来的,他说集成电路里晶体管数量每()个月翻一番。

A、8

B、12

C、16

D、18

34、在半导体材料市场构成方面,()占比最大。

A、惰性气体

B、抛光液

C、硅片

D、光刻胶

35、凸点制作是晶圆级封装工艺过程的关键工序,它是在晶圆的()上形成凸点。

A、表面

B、底层

C、连接区

D、新焊接区

36、2014年6月,国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》,明确集成电路产业未来几年的发展目标,到()年16/14nm制造工艺实现规模量产。

A、2016

B、2020

C、2024

D、2030

37、量子点激光器属于()纳米材料。

A、三维

B、二维

C、一维

D、零维

38、我国的集成电路行业发展较晚,除了()较为领先外,芯片设计、芯片制造行业的整体水平与欧美国家有着明显的差距。

A、封测技术

B、设备制造

C、新材料研发

D、晶圆制备

39、集成电路的技术层级有()大类。

A、5

B、6

C、7

D、8

40、()从狭义角度讲,它是信息系统核心的芯片集成,是将系统关键部件和嵌入软件集成在一块芯片中。

A、SoC

B、CPU

C、IP

D、IC

41、芯片设计在半导体行业中处于产业链的(),是半导体行业发展较为迅速的领域。

A、上游

B、中游

C、下游

D、底端

42、《条例》对强制许可的限定条款是()。

A、第二十四条至第二十八条

B、第二十五条至第二十九条

C、第二十三条至第二十九条

D、第二十五条至第二十八条

43、光刻是通过光线将电路图案“印刷”到()上。

A、单晶硅

B、薄膜

C、陶瓷

D、晶圆

44、按()来份,集成电路分为双极型和单极型。

A、功能结构

B、制作工艺

C、集成度高低

D、导电类型

45、我国集成电路产业所面临的人才结构瓶颈,突出表现为行业()稀缺。

A、从业人员

B、产业工人

C、高端人才

D、服务人员

46、集成电路,英文为(),缩写为IC。

A、Intellectual Circuit

B、Identity Card

C、Integrated Circuit

D、Integrated Construction

47、光刻胶市场稳定增长,()占比最高。

A、g/i光刻胶

B、EUV

C、ArFi

D、KrF

48、半导体产业起源于()。

A、美国

B、日本

C、中国

D、英国

49、()是电子产品的核心,是信息产业的基石,被称为现代工业的“粮食”。

A、芯片

B、处理器

C、半导体

D、CPU

50、()介于软核与硬核之间、在软核的基础上开发的一种可综合的并带有布局规划的软核,以便对软核进行参数化。

A、结构核

B、层级核

C、微架构

D、固核

51、半导体发展的标志性产品是()。

A、集成电路

B、光刻胶

C、硅片

D、CPU

52、大多数高温半导体材料仍处在()研制阶段。

A、微商

B、实验室

C、小企业

D、社团

53、在电力电子器件方面,最早最成熟的碳化硅器件是()。

A、六角螺旋结构二极管

B、铅锌矿结构二极管

C、逆变二极管

D、肖特基势垒二极管

54、EMIB技术最早由()的Mahajan和Sane于2008年提出,后又经Braunisch和Starkston等改进,近年来已发展成为英特尔最具代表性的先进封装技术之一。

A、台积电

B、苹果

C、英特尔

D、微软

55、第()代半导体材料是推动和支撑下一代产业革命的基础。

A、一

B、二

C、三

D、四

56、下列选项中,属于一维纳米材料的有()。

A、纳米块

B、纳米棒

C、超晶格

D、纳米薄膜

57、我国集成电路起步(),中科院计算机研究所在()年成功研制了()大型电子计算机。

A、晚、1976、1000万次

B、早、1976、1000万次

C、晚、1976、100万次

D、早、1976、100万次

58、WLP就是直接在晶圆上进行大部分或全部的()测试程序,之后再进行切割,制成单颗芯片。

A、包装

B、电气

C、封装

D、功能

59、()年,宾尼西和罗雷尔制造出世界上第一台扫描隧道显微镜。

A、1978年

B、1979年

C、1980年

D、1981年

60、()年左右,我国成为世界第二大半导体消费市场。

A、1900

B、1950

C、2000

D、2010

61、随着封装技术的不断发展, MCP、SiP、SoP、PoP、SCSP、SDP、WLP等封装结构成为主流,并为趋于()方向封装发展的3D(三维)集成封装、TVS(硅通孔)集成等技术研发奠定了坚实的基础。

A、X

B、Y

C、Z

D、O

62、一个国家进入信息化社会的判据是:半导体产值占工农业总产值的()。

A、0.5%

B、5%

C、1%

D、10%

63、目前LTCC基板采用的散热方式主要是在功率元器件()的基板中制作高热导率的金属化直通孔阵列;或在基板上开直通空腔,将功率元器件直接组装到散热板上。

A、上方

B、下方

C、中间

D、外面

64、下列选项中,属于传统电子材料的是()。

A、自旋电子材料

B、第三代半导体材料

C、陶瓷材料

D、纳米电子材料

65、车载传感器芯片可以分为车辆感知和()感知。

A、动力

B、环境

C、底盘

D、车身

66、刚切割下来的芯片很脆弱且不能交换电信号,需要单独进行处理。这一处理过程就是(),包括在半导体芯片外部形成保护壳和让它们能够与外部交换电信号。

A、蚀刻

B、封装

C、打磨

D、测试

67、众所周知,在芯片的整个环节中,()是最关键、市场份额最大的核心环节。

A、封装

B、晶圆制造

C、集成电路

D、芯片制造

68、在制造集成电路时,当漏电流达到()时,器件将无法工作。

A、50%

B、40%

C、30%

D、20%

69、2022年,在全世界半导体销售中,()凭借总额283亿美元的销售额,份额达26.3%,连续3年拿下了全球最大半导体设备市场宝座。

A、美国

B、中国大陆

C、中国台湾

D、日本

70、()是指的在材料结构、工艺品质和精度、可靠性以及稳定性等性能方面,达到了半导体设备及技术要求的零部件。

A、封装零部件

B、半导体零部件

C、测控零部件

D、制造零部件

71、专利申请的主要受理国集中在美国、中国、日本以及韩国,()以24522件占据绝对领先地位。

A、美国

B、中国

C、法国

D、德国

72、芯片测试在芯片的价值链中按照不同阶段又分成()测试和最终测试。

A、材料

B、生产

C、晶圆

D、设计

73、《条例》第十二条规定了()。

A、对强制许可的限定

B、保护期限

C、权利用尽

D、合理使用

74、根据中汽的中心数据显示,车规级MCU芯片到2026年预计增长到()亿美元。

A、66

B、77

C、88

D、99

多选题

1、常见的半导体的材料,主要是由()、()等元素,以及()、()等化合物,所形成的一种材料。

A、硅

B、锗

C、碳

D、砷化镓

E、氮化镓

2、IDM这类企业主要有()。

A、台积电

B、德州仪器

C、华为海思

D、三星

E、LG

3、集成电路产业链有()。

A、芯片(chip)设计

B、晶圆(wafer)和芯片制造

C、晶圆和芯片设备制造

D、芯片封装(package)、测试(test)

E、芯片材料生产

4、在加工芯片的过程中,光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的(),经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例()后映射到硅片上,然后使用()方法显影,得到刻在硅片上的电路图。

A、掩模

B、缩小

C、化学

D、物理

E、扩大

5、2020年国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中明确提出,进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业()。

A、创新能力

B、销售数量

C、发展质量

D、投资总额

E、人才引进

6、下列选项中属于第三代半导体材料的有()。

A、氮化钙

B、氮化镓

C、碳化硅

D、氧化锌

E、碳化钙

7、根据曝光波长的不同,目前市场上应用较多的光刻胶可分为()。

A、g线

B、i线

C、ArF

D、KrF

E、EUV

8、()、()、()已成为汽车产业的发展潮流和趋势,半导体是支撑汽车“三化”升级的关键。

A、电动化

B、小型化

C、网联化

D、智能化

E、自动化

9、半导体主要有哪些特征?()

A、温度效应

B、光生伏特效应

C、整流效应

D、光电导效应

E、压强效应

10、现阶段先进封装主要是指()。

A、2.5D封装

B、3D封装

C、SiP

D、Chiplet

E、BGA

11、氮化镓在高频段有着()等优势,这成为未来高速应用的主要频谱。

A、功率小

B、高临界

C、超大宽带

D、频谱干净

E、干扰小

12、纳米材料的基本单元包括()。

A、零维

B、一维

C、二维

D、三维

E、四维

13、集成电路知识产权保护包括()。

A、功能限定技术特征

B、标准必要专利

C、具备专利性、构成技术方案的计算机程序

D、具备专利性的工艺方法

E、具备专利性的芯片产品

14、评价集成电路的主要参数指标有()。

A、封装

B、芯片面积

C、晶圆直径

D、特征尺寸

E、集成度

15、电子材料对所处的环境因素有哪些方面的要求?()

A、温度

B、延展度

C、湿度

D、化学颗粒与尘埃

E、毒菌和昆虫

16、集成电路产业具有高度()密集型和()密集型特征。

A、资源

B、区域

C、资本

D、技术

E、人才

17、IC产业是国家()行业,对信息安全、“互联网+”建设和人工智能等战略的发展必不可少。

A、战略性

B、先导性

C、基础性

D、全局性

E、指导性

18、晶圆级封装(Wafer Level Packaging,缩写WLP)是一种先进的封装技术,具有()、高传输速度、()、散热好、生产周期短、成本低等优势。

A、尺寸小

B、高密度连接

C、三维封装

D、多材料堆叠

E、低密度连接

19、IP核分为()。

A、设计核

B、软核

C、固核

D、硬核

E、结构核

20、光刻胶壁垒极高,主要体现在()。

A、人才壁垒

B、工艺壁垒

C、配套光刻机

D、原材料壁垒

E、客户认证壁垒

21、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标是()。

A、集成度

B、特征尺寸

C、晶片直径

D、芯片面积

E、封装

22、集成电路布图设计保护的要件有()。

A、原创性

B、形式要件

C、设计权利

D、使用范围

E、布图设计

23、集成电路知识产权保护应该是()的。

A、分层级

B、分阶段

C、全链条

D、全方位

E、综合性

24、集成电路布图设计的特点有()。

A、保护的延及性

B、对产品的依附性

C、表现形式具有非任意性

D、可复制性

E、无形性

25、用于半导体电路互连的金属应该具备的条件包括()。

A、高安全性

B、低电阻率

C、热化学稳定性

D、高可靠性

E、低制造成本

26、第三代半导体材料不仅具有更加优秀的电子迁移率,而且具备()等优势。

A、成本低

B、耐压高

C、抗辐射

D、热导率大

E、使用寿命长

27、2022年,全球半导体应用领域排名前三的行业分别是()。

A、新能源

B、5G

C、通信

D、PC/平板

E、工业/医疗

28、韩国三星属于集成电路垂直整合制造厂,具备()全流程能力。

A、设计

B、制造

C、封装测试

D、塑封

E、检验

29、Chiplet主要帮助半导体解决了先进制程带来的痛点,其痛点具体包括()。

A、降低设计难度

B、提高制造良率

C、降低设计的成本

D、降低制造的成本

E、提高生产速度

30、凸块工艺是倒装工艺必备,在晶圆表面植(),是先进封装的核心技术之一。

A、金线

B、锡球

C、铜块

D、铝箔

E、树脂

31、第三代半导体材料可以应用于哪些领域?()

A、印染领域

B、光存储领域

C、医学应用领域

D、激光打印领域

E、电学领域

32、砷化镓广泛用于()器件。

A、高速

B、低噪音

C、耐高温

D、抗辐射

E、大功率

33、当纳电子材料做到纳米级别时,会展现出哪些奇异的特性?()

A、内在效应

B、大尺寸效应

C、表面效应

D、小尺寸效应

E、以上都对

34、中国专利在半导体集成电路封装技术方向的专利侧重点主要在()。

A、封装外形-MCP多芯片封装

B、封装外形-WLP晶圆级封装

C、封装外形-CSP芯片尺寸封装

D、包装材料-塑料封装技术

E、芯片级封装

35、LTCC封装材料总体上分为()。

A、LTCC 基板材料

B、封装金属材料

C、焊接材料

D、基板材料

E、引脚材料

36、集成电路布图设计在各国的名称有()。

A、电路设计

B、半导体产品拓扑图

C、电路布图

D、掩模版图

E、掩模作品

37、车辆感知的车载传感器芯片包括()。

A、感知动力系统

B、感知底盘

C、感知车身

D、电子电器系统

E、超声波雷达

38、半导体产业链具体包括()。

A、上游半导体产品制造

B、下游半导体原材料与设备供应

C、上游半导体原材料与设备供应

D、中游半导体产品制造

E、下游应用

39、硅转接板以是否集成特定功能可分为()。

A、有源芯片

B、无源芯片

C、中介层

D、无源转接板

E、有源转接板

40、国内半导体产业政策展望与分析的内容包括()。

A、顶层设计

B、引导投资

C、人才支持

D、财税政策

E、专项补贴

41、集成电路产业按照过程,分为()、()以及()三个环节。

A、采购

B、设计

C、制造

D、封测

E、检测

42、2019-2022年受理民事二审实体案件8436件中,()。

A、专利权属案件697件

B、技术秘密侵权案件213件

C、植物新品种侵权案件272件

D、计算机软件纠纷案件1743件

E、集成电路布图设计纠纷案件14件

43、零部件职业基础和从业技能课程安排严重不足,同时也缺乏对崇尚()的工匠精神的引导。

A、求精

B、求实

C、求新

D、精于设计

E、善于攻坚

44、全球半导体材料、EDA和部分关键设备市场主要被()所垄断。

A、美国

B、欧盟

C、日本

D、荷兰

E、我国台湾地区

45、工业控制芯片主要面向于()方面。

A、开关控制量

B、模拟量控制

C、运动控制

D、信息采集

E、工业无线

46、和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有()等优点。

A、抗辐射性

B、高击穿场强

C、高饱和电子漂移速率

D、高热导率

E、高键合能

47、半导体硅片壁垒较高,主要体现在()等方面。

A、技术

B、资金

C、人才

D、客户认证

E、原材料

48、半导体材料有哪些结构()?

A、六角螺旋结构

B、六方密集堆结构

C、闪锌矿结构

D、金刚石结构

E、纤锌矿结构

49、当前集成电路的发展受“四堵墙”的制约,“四堵墙”是指()。

A、存储墙

B、速度墙

C、面积墙

D、功能墙

E、功耗墙

50、半导体制造的步骤包括()。

A、晶圆加工

B、氧化

C、光刻

D、测试

E、封装

51、芯片封装测试包括()和()两个环节,是半导体产业链和集成电路产业链的下游。

A、封装

B、测量

C、封冻

D、测试

E、检测

52、下面属于国内法律制度的是()。

A、《集成电路布图设计保护条例实施细则》

B、《集成电路布图设计保护条例》

C、《集成电路布图设计行政执法办法》

D、《集成电路布图设计审查与执法指南(试行)》

E、《最高人民法院关于开展涉及集成电路布图设计案件审判工作的通知》

53、先进电子材料主要有哪些应用领域?()

A、微钠电子材料领域

B、二维分子材料领域

C、光电子材料领域

D、功能分子材料领域

E、一维分子材料领域

54、下面属于国际公约的是()。

A、《集成电路布图设计保护条例实施细则》

B、《集成电路布图设计保护条例》

C、《关于集成电路的知识产权条约》

D、《与贸易有关的知识产权协议》

E、《最高人民法院关于开展涉及集成电路布图设计案件审判工作的通知》

55、常见的元素半导体包括()等12种元素。

A、硅

B、锗

C、碘

D、碳

E、氧

56、2022年全球集成电路产业规模为4080亿美元,()与()共同构成集成电路产业的两大支柱。

A、存储芯片

B、逻辑芯片

C、微处理器

D、模拟芯片

E、处理芯片

57、2022年1月,国务院印发《“十四五”数字经济发展规划》提出,要瞄准()、量子信息、网络通信、()、关键软件、大数据、()、区块链、新材料等战略性前瞻性领域。

A、传感器

B、集成电路

C、人工智能

D、机器人

E、物联网

58、硅具有()等特点,广泛应用于IC和光伏领域。

A、导电性能好

B、抗辐射

C、稳定性高

D、易获取

E、产量大

59、第三代半导体材料主要包括()等,因其禁带宽度大于或等于2.3电子伏特,又被称为宽禁带半导体材料。

A、砷化镓

B、碳化硅

C、钙化钠

D、硅

E、金刚石

60、促使中国半导体市场不断发展和进步的因素有()。

A、国家政策利好

B、5G新能源等技术增长推动

C、晶圆厂设备增长推动

D、国际合作

E、技术垄断

61、关于半导体材料,下列说法正确的是()。

A、第一代半导体材料以硅和锗为代表

B、第一代半导体材料以砷化镓为代表

C、第二代半导体材料以氮化镓、氧化锌、碳化硅为代表

D、第二代半导体材料以砷化镓为代表

E、第三代半导体材料以氮化镓、氧化锌、碳化硅为代表

62、半导体应用在()等领域。

A、集成电路

B、消费电子

C、通信系统

D、光伏发电

E、照明应用

63、芯片核心设备主要有()。

A、微处理器

B、互连架构

C、芯片拼装设备

D、芯片封测设备

E、晶圆制造设备

64、关于氧化锌材料,下列说法错误的是()。

A、氧化锌是第三代半导体材料

B、氧化锌是第二代半导体材料

C、其禁带宽度比较大、电子的饱和速度高

D、禁带宽度比较小、电子的饱和速度低

E、可用于制作蓝绿光和紫外光的发光器件

65、()、()和()是当前国际公认的新科技革命的三大支柱。

A、材料

B、能源

C、信息技术

D、纺织

E、以上都对

66、碳化硅材料有哪些优点?()

A、硬度较高

B、耐高温

C、热传导性较好

D、高载流子饱和速度

E、低击穿场

67、世界制造强国分三大阵营,分别是()。

A、美国第一

B、德国、日本居第二

C、英国、德国居第二

D、中国处在第三阵营

E、日本、中国处在第三阵营

68、集成电路的法律保护有()。

A、标准法

B、保密法

C、竞争法

D、科技法

E、民商法

69、按照物理性质,电子材料分为哪些种类?()

A、微电子材料

B、超导材料

C、半导体材料

D、磁性材料

E、光电材料

70、中国企业不仅在本国部署了大量专利,同时,在()部署了220件、194件、122件同族专利。

A、美国

B、日本

C、韩国

D、荷兰

E、加拿大

71、企业可以采用()等方式,与具有先进半导体集成电路封装技术的企业开展合作。

A、技术许可

B、授权使用

C、购买

D、联合开发

E、并购

72、SIP是将多种功能芯片,包括()等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。

A、处理器

B、硅片

C、基板

D、存储器

E、FPGA

73、常规的集成电路一般要经过()等半导体制造工艺。

A、氧化

B、光刻

C、蒸铝

D、扩散

E、外延

74、相比于硅材料,石墨烯有哪些优点?()

A、电子迁移率高于硅

B、电子迁移率不随温度变化

C、电子迁移率低于硅

D、石墨烯的电子迁移率随温度变化快

E、兼具金属和半导体性质

75、石墨烯在光学领域上的应用包括()。

A、高频晶体管

B、低频晶体管

C、量子点晶体管

D、超薄分子膜

E、超敏感气体传感器

76、()是指以半导体晶体材料,经平面工艺加工制造,将电路的元件、器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路或系统。

A、掩模作品

B、集成电路

C、掩模版图

D、集成电路布图设计

77、半导体设备由成千上万的零部件组成,零部件的性能、质量和精度直接决定设备的()和()。

A、价格

B、可靠性

C、稳定性

D、需求量

E、应用范围

78、中国制造的特点是()。

A、有品种优势,无品质优势

B、有成本优势,无技术优势

C、有速度优势,无质量优势

D、有产品优势,无品牌优势

E、有规模优势,无结构优势

79、按照功能结构的不同,半导体可分为()。

A、光电半导体

B、集成电路

C、光电器件

D、传感器

E、分立器件

80、就半导体工艺整体而言,()和()两个环节的技术壁垒极高。

A、硅片制造

B、芯片制造

C、封装测试

D、提纯

E、光刻

81、芯粒异质集成涉及的典型先进封装技术包括()。

A、硅通孔

B、超高密扇出

C、Chiplet

D、EMIB

E、混合键合

判断题

1、硅片可直接用于集成电路制造中。

2、侵害集成电路布图设计专有权的法律责任不包括民事责任。

3、1980年,我国成功研制出第四代光刻机,其光刻精度达到3μm,与国际先进水平接近。

4、先进电子材料具有优异的性能。

5、行政救济途径主要包括行政复议、行政复审、行政撤销、行政调解、行政处理等。

6、我国集成电路的光刻胶主要靠进口,对外依存度达到了90%以上。

7、1994年4月1日,“巴黎统筹委员会”(简称“巴统”)正式宣告解散。

8、存内计算的能效高、精度低。近存计算的算力高、精度高,它是一种基于先进封装的技术途径,通过超短互连技术,可实现存储器和处理器之间数据的近距离搬运。

9、光刻胶和光刻机在半导体产业链中属于中游制造。

10、版权对集成电路的保护主要是对软核、固核的保护,即相应的指令序列、程序软件的保护。

11、Fan-in封装的芯片尺寸和产品尺寸在二维平面上是一样大的,芯片有足够的面积把所有的I/O接口都放进去,但伴随I/O数目的增加,焊球间距的要求也趋于严格。

12、晶体管装配的电子设备其装配密度比集成电路提高几十倍到几千倍,设备的稳定工作时间也大大提高。

13、芯片切割工艺主要是把硅片切成单个芯片,并第一时间处理硅片上的硅屑,避免对后续工作开展及质量控制造成阻碍。

14、倒装工艺是指在芯片的I/O焊盘上直接沉积,或通过RDL布线后沉积凸块(Bump),然后将芯片翻转,进行加热,使熔融的焊料与基板或框架相结合,芯片电气面朝上。

15、电子材料是指与电子工业有关的、专门应用于信息、电子电气等领域的专用材料,是制作电子及微电子元器件、元器件搭载体及周边部件的物质基础。

16、未来,砷化镓和磷化铟半导体的发展方向是减小晶体直径。

17、设计、制造过程可能给芯片带来一定的失效,测试过程不会。

18、目前来看,碳化硅集成电路仍是主流,它是把实现某种功能的电路所需的各种元件都放在一块碳化硅片上,所形成的整体被称作碳化硅集成电路。

19、碳化硅模块的功率密度显著强于硅基模块。在相同功率等级下,全SiC模块的封装尺寸显著小于Si模块。

20、硅锗材料可用于光探测领域。

21、《条例》第五十一条规定了行政责任。

22、Fabless模式主要的优势有不承担由于市场调研不准、产品设计缺陷等决策风险。

23、先进封装技术不仅可以增加功能、提升产品价值,还能有效降低成本,成为延续摩尔定律的重要路径。

24、1947年,英国人发明了晶体管。

25、我国半导体进口依赖度较低。

26、整体来看,汽车芯片产业链的重点企业基本为国内企业,国外的领先企业数量不多。

27、塑封环节主要有三种方式:第一种是陶瓷封装,第二种是塑料风格,第三种叫做金属封装。

28、我国是制造业强国,是全球电子产品的第一制造大国,全球有90%的个人笔记本电脑、智能手机,还有大量的电子设备是在中国制造的,所以我国芯片可以自给自足。

29、专利申请波动态势主要受中国和美国申请量的影响。

30、长三角地区是中国集成电路产业基础最扎实、技术最先进的区域。

31、目前在我们电脑CPU领域里边,主要的厂家大概就只有英特尔和AMD,它们几乎垄断了个人计算机领域90%以上的市场份额。

32、半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料。

33、硅晶圆生产步骤中硅晶棒的抛光是第一道工序。

34、先进封装以内部封装工艺的先进性为评判标准,并以内部连接有无基板作为标准分三大类。

35、半导体产业在美国形成规模以来,半导体产业共经历了两次大规模的产业转移。

36、第三代半导体材料更适用于制作高温、低频、抗辐射及低功率的电子器件。

37、氧化锌介电常数和压电常数都非常高。

38、电子学是微电子学的理论分支。

39、1963年,韩国人从美国引进了集成电路,后来居上,成为半导体产业的领头羊。

40、半导体硅片纯度极高,小尺寸为大势所趋。

41、传统的芯片制造,都是垂直一体化的IDM模式。

42、光刻胶波长越长,加工分辨率越高。不同的集成电路工艺在光刻中对应使用不同波长的光源。

43、根据ARM公布的芯片出货数据,截止到2019年,基于ARM授权的芯片出货量超过1660亿颗,占全球整个芯片市场出货量的市场份额高达43%。

44、据掺杂杂质不同,我们把半导体可以分为N型半导体与P型半导体,P型半导体主要掺杂的是五价元素,如磷、砷等。

45、石墨烯结构不稳定。

46、硬核是用硬件描述语言或软件编程语言描述的功能块。

47、半导体集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的。对于逻辑器件,简单地说,首先是在Si衬底上划分制备晶体管的区域,然后是离子注入实现N型和P型区域,其次是做栅极,随后又是离子注入,完成每一个晶体管的源极和漏极。这部分工艺流程是为了在Si衬底上实现N型和P型场效应晶体管,又被称为前道工艺。

48、芯片的线路和触点测试不属于劳动密集型。

49、有源转接板是无源转接板的技术延伸,在无源转接板内部集成一些功能单元。

50、法国科学家费尔和德国的科学家格林贝尔发现了巨磁阻效应。

51、受制于产业基础以及当前人才培养体制机制等因素,集成电路高端人才的稀缺将是一个长期问题。

52、LTCC封装金属材料主要根据金属封装材料特性进行选择,需要综合考虑金属材料的热导率、热膨胀系数、密度、可焊性、工艺成熟性等。

53、社会各界对维权援助机构的了解度较高。

54、集成电路在全球半导体市场中占比超过80%,目前全球对轻掺硅片需求更大。

55、集成电路是一个投入高、回报慢的行业。

56、目前我国集成电路自给率比较低,核心芯片缺乏。

57、在晶圆上完成电路图的氧化后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点就需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。

58、集成电路产业在国民经济中的关键性和战略性作用日益凸显。

59、集成电路(芯片)是典型的知识产权产品(IP产品)。

60、目前设计复用方法在很大程度上要依靠固核,将RTL级描述结合具体标准单元库进行逻辑综合优化,形成门级网表,再通过布局布线工具最终形成设计所需的硬核。

61、我国集成电路产业相较于发达国家仍有一定发展空间,技术和研发水平落后于国际先进水平,日本是全球最大的集成电路消费国家。

62、巨磁阻的主要材料是硅、铁、锌。

63、碳纳米管,是1991年由日本电镜学家饭岛教授通过高分辨电镜发现的。

64、为了适应整机和设备的小型化、轻量化、薄型化、数字化、多功能以及生产自动化的趋势,现在社会要求电子元器件开发、向着小型化、高集成化、片式化发展。

65、我国改革开放以后,1982年在国务院层面成立电子计算机及大型集成电路领导工作小组办公室,半导体集成电路产业正式提上日程。

66、宽禁带半导体材料具有耐酸、耐碱、耐腐蚀的特性。

67、第二代半导体材料,主要应用在国防、航空、航天、石油勘探、光存储等领域,有着重要的应用前景。

68、按应用领域,集成电路分为标准通用集成电路和专用集成电路。

69、航天771所的专利技术侧重点为预成型封装。

70、在半导体工艺中,我国在芯片封装领域市场占有率比较高,说明封装的技术壁垒比较高。

71、TSV是一种垂直互连技术,是由威廉·肖克利(William Shockley)于1968年提出的。

72、DIP封装发展迅速,被许多半导体厂商和研究机构认为是最有前途的封装方法。

73、光刻机只能用在前道工艺,不可以用在后道工艺。

74、集成电路实际上是一种技术手段。

75、国内企业在硅通孔和再布线工艺方面也有相应的专利布局。

76、从集成电路销售区域分布方面来看,中国大陆为集成电路产业第一大市场。

77、近年来,我国集成电路行业发展势头不负众望,特别是在制造领域有了明显突破。

78、专利部署在的中国时间主要是集中在1995年到2022年之间。

79、集成电路产业链上游为集成电路设计、制造与芯片产品。